Нанотранзисторы могут обеспечить более эффективную электронику.

05.11.2024 Кремниевые транзисторы, которые используются для усиления и переключения сигналов, являются критически важным компонентом большинства электронных устройств, от смартфонов до автомобилей. Но технология кремниевых полупроводников сдерживается фундаментальным физическим ограничением, которое не позволяет транзисторам работать ниже определенного напряжения.Это ограничение, известное как «тирания Больцмана», снижает энергоэффективность компьютеров и другой электроники, особенно в условиях быстрого развития технологий искусственного интеллекта, требующих более быстрых вычислений.В попытке преодолеть этот фундаментальный предел кремния исследователи Массачусетского технологического института изготовили другой тип трехмерного транзистора, используя уникальный набор сверхтонких полупроводниковых материалов. Исследование опубликовано в Nature Electronics.Их устройства, в которых используются вертикальные нанопровода шириной всего несколько нанометров, могут обеспечивать производительность, сопоставимую с современными кремниевыми транзисторами, при этом эффективно работая при гораздо более низких напряжениях, чем обычные устройства.«Эта технология потенциально способна заменить кремний, поэтому ее можно использовать со всеми функциями, которыми обладает кремний в настоящее время, но с гораздо большей энергоэффективностью», — говорит Яньцзе Шао, постдок Массачусетского технологического института и ведущий автор статьи о новых транзисторах.