Китайские исследователи сделали ряд прорывных разработок в проектировании памяти и интегральных схем.

06.01.2026 В последнее время ряд китайских университетов и научно-исследовательских институтов добились значительных успехов в областях, связанных с полупроводниками. Эти достижения охватывают ключевые направления, такие как память, силовые полупроводники и проектирование интегральных схем.❇️Компания IME CAS добилась значительного прогресса в исследованиях высокоплотной 3D DRAM-памяти.Исследовательская группа из Национальной ключевой лаборатории технологий производства интегральных схем Института микроэлектроники Китайской академии наук (IME CAS) в сотрудничестве с Пекинской академией суперструнных технологий памяти (SAMT) и Шаньдунским университетом предложила новую архитектуру ячейки памяти 4F² 2T0C с двумя затворами.❇️Нанкинский университет науки и технологий сообщил о новых результатах в области силовых полупроводников.Недавно объединенная исследовательская группа из Школы микроэлектроники (Школы интегральных схем) Нанкинского университета науки и технологий предложила новый метод прогнозирования потерь при переключении, основанный на многослойных искусственных нейронных сетях с обратным распространением ошибки (ИНС).❇️Гонконгский университет, Уханьский университет и Китайская академия наук совместно добились значительных успехов в разработке композитных подложек и устройств на основе 4H/3C-SiC.Недавно группа исследователей во главе с Лю Синью из Центра высокочастотных и высоковольтных исследований Института магистерских и электротехнических исследований Китайской академии наук в сотрудничестве с Гонконгским университетом, группой Isabers, Уханьским университетом и Институтом физики Китайской академии наук успешно разработала крупногабаритные композитные подложки из монокристаллов 4H/3C-SiC, преодолев предел удельного сопротивления в открытом состоянии для низковольтных (<600 В) устройств на основе 4H-SiC.❇️Исследовательская группа SUSTC добилась ключевых результатов в разработке высокоскоростных интегральных схем.Недавно группа исследователей под руководством Пан Цюаня из Инженерной школы и Национального демонстрационного колледжа микроэлектроники Южного университета науки и технологий (SUSTC) добилась очередных прорывов в области высокоскоростной связи и проектирования оптоэлектронных интегральных схем.