Криогенное травление: ключевой фактор развития 3D NAND.

06.01.2026 Технология 3D NAND следующего поколения зависит от производительности и воспроизводимости процессов криогенного травления.Растущие потребности в хранении данных на периферии сети и в облаке подпитывают растущий спрос на флэш-память большей емкости для различных приложений.Выпускаемые каждые 12–18 месяцев, технологии 3D NAND превосходят большинство других полупроводниковых устройств по скорости замены и приросту производительности. С каждым новым поколением поставщики NAND обеспечивают на 50% более высокую скорость чтения/записи, на 40% большую плотность битов, меньшую задержку и более высокую энергоэффективность.Производители 3D-флэш-памяти поддерживают этот невероятный темп, укладывая и соединяя ячейки памяти через крошечные, глубокие каналы, которые становятся все меньше и глубже с каждым новым поколением. Прорывная технология криогенного травления позволяет просверлить миллиарды каналов глубиной до 10 микрон при диаметре отверстия всего 100 нм и почти вертикальном профиле. В отрасли, которая ценит энергоэффективность и экологичность, эти инновационные инструменты травления разработаны таким образом, чтобы использовать вдвое меньше энергии, чем предыдущие криогенные решения, одновременно сокращая выбросы углекислого газа более чем на 80%.В процессах травления NAND ключевой задачей является поддержание разумных скоростей травления вместе с вертикальными профилями от верха до низа канала. Моделирование играет все более важную роль в оптимизации технологических процессов для обеспечения вертикальных профилей без вариаций CD, изгибов и искажений формы отверстий внутри ячеек памяти. Искусственный интеллект помогает оптимизировать профили этих элементов даже при наличии небольшого набора данных. Причина, по которой эти профили памяти так важны, заключается в том, что их однородность напрямую связана с производительностью NAND, измеряемой скоростью чтения/записи и эффективностью программирования/стирания.