Samsung переработала систему питания HBM4E, чтобы сократить количество дефектов и изучить возможность разделения HBM и GPU.

03.03.2026 Samsung перерабатывает сеть питания в своей памяти HBM4E, чтобы решить одну из самых больших инженерных проблем в чипах следующего поколения для искусственного интеллекта. Это происходит всего через две недели после того, как компания выпустила свою первую коммерческую версию HBM4 , которая уже стабильно работает на скорости 11,7 Гбит/с с запасом до 13 Гбит/с. По мере перехода от HBM4 к HBM4E количество источников питания увеличивается с 13 682 до 14 457, размещенных в том же пространстве с более тонкой и плотной проводкой. Это приводит к увеличению плотности тока и сопротивления, вызывая падение напряжения (напряжение ослабевает при прохождении через цепи), а выделяемое при этом тепло усугубляет ситуацию, создавая петлю обратной связи, которая может повлиять на производительность или даже привести к отказу цепи.Для решения этой проблемы Samsung сегментировала сеть питания. Большой централизованный блок питания MET4 на базовом кристалле, ранее расположенный в виде больших сотовых секций рядом с межсоединительной платой, был разделён на четыре меньших секции, причём верхние слои дополнительно раздроблены для уменьшения перегрузки и сокращения путей трассировки. По данным Samsung, результаты оказались значительными: количество дефектов металлических цепей снизилось на 97% по сравнению с HBM4, а падение напряжения уменьшилось на 41%, что обеспечило чипу больший запас по напряжению для более высоких скоростей и повышения надёжности.Samsung также изучает идею полного физического разделения HBM от GPU. Один из подходов предполагает использование фотонных межсоединений, которые используют оптическую передачу, способную достигать скорости в терабиты в секунду (примерно в 1000 раз быстрее, чем медь), для компенсации дополнительного расстояния. Samsung предполагает, что достижения в области проводки подложки в конечном итоге позволят размещать HBM и GPU на расстоянии более 5 см друг от друга, что поможет решить проблемы с теплоотводом, возникающие при плотной компоновке компонентов.