Вычислительные системы следующего поколения основаны на использовании чрезвычайно тонких полупроводников — теперь появился более совершенный способ их производства.

03.06.2026                                               Способность разрабатывать чрезвычайно тонкие полупроводники имеет ключевое значение для развития электроники и вычислительной техники. Однако до сих пор существовал компромисс между качеством этих полупроводников и возможностью их промышленного производства. Профессор Конг Су и его исследовательская группа нашли решение, которое сочетает в себе лучшие аспекты двух методов для получения высококачественных материалов в больших масштабах. Разработка монослойных полупроводников, которые проводят ток в транзисторах, имеет решающее значение для создания более мощных электронных и вычислительных устройств. Имея толщину всего в один атом, монослойные полупроводники относятся к числу самых тонких материалов из возможных. «Процессоры становятся все более мощными, потому что мы можем уменьшать размеры транзисторов», — сказал Су, доцент кафедры материаловедения. Су и его исследовательская группа использовали метод химического осаждения из газовой фазы (CVD) для синтеза очень тонких монослойных полупроводников. Как правило, проблема этого метода, по словам Су, заключается в том, что при его использовании в больших масштабах получаются кристаллы низкого качества. В традиционных методах химического осаждения из газовой фазы (CVD) с использованием жидких прекурсоров прекурсор (материал, из которого формируются монослои) помещают в щелочной раствор. Однако, поскольку компоненты испаряются неконтролируемо, атомы в выращенной решетке вытягиваются из кристалла некоторыми побочными продуктами прекурсоров, что может привести к образованию дефектных, неоднородных слоев. «Мы нашли очень простой способ масштабировать этот метод», — сказал Су. «По сути, мы меняем среду раствора с щелочной на кислую». Предварительная обработка химических компонентов кислотой позволила исследователям успешно закрепить их на поверхности в процессе роста. «Этот прорыв позволил получить материалы рекордного качества, открывая путь к созданию более быстрых и высокоэффективных электронных и квантовых устройств», — сказал Су.