Samsung представляет три технологии памяти нового поколения для центров обработки данных с использованием искусственного интеллекта — zHBM, zNAND-O и BV-NAND, все они основаны на передовых технологиях склеивания пластин.

06.08.2026 Технология соединения кремниевых пластин нового поколения позволяет создавать инновационные типы памяти. На этой неделе компания Samsung представила свое видение решений следующего поколения для памяти и хранения данных как для приложений искусственного интеллекта, так и для приложений общего назначения на конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026. Компания представила на мероприятии технологии zHBM, zNAND-O и BV-NAND, и хотя они предназначены для совершенно разных приложений, у них есть один общий компонент: все они основаны на технологии склеивания пластин. Вот подробное описание каждого типа технологий, анонсированных компанией. zHBM : концепция Samsung по созданию высокопроизводительной памяти HBM, устанавливаемой поверх логических кристаллов. zNAND-O : NAND-память, которую можно интегрировать поверх логического устройства для максимизации пропускной способности, уменьшения задержки и минимизации энергопотребления. BV-NAND (также известная как V-NAND 10 -го поколения от Samsung ): подход Samsung к соединению массивов NAND поверх всей необходимой для их работы схемы. По сути, это технология 3D NAND следующего поколения, которая сегодня используется почти всеми, включая Kioxia/Sandisk, SK Hynix и YMTC (которая первой внедрила такой метод).