TSMC пока отказывается от гибридного соединения, делая ставку на традиционные микроконтакты как на перспективный метод.

03.09.2026 Согласно последнему сообщению ETNews со ссылкой на источники в цепочке поставок, TSMC, как сообщается, по-прежнему воздерживается от инвестиций в технологию упаковки кремниевых микросхем, известную как гибридная сварка. Для тех, кто не знаком с этой технологией, гибридная сварка создает прочное соединение между двумя кремниевыми чипами с помощью встроенных металлических контактов, которые сплавляются вместе, образуя единый чип. Несколько кристаллов или целые кремниевые пластины могут быть соединены путем соединения задних концов двух чипов. Эта технология исключает традиционные контакты на чипах и напрямую соединяет медные межсоединения между двумя чипами. В современных корпусах размер контактных площадок припоя на чипах, которые выступают до того, как чип припаивается к печатной плате, составляет примерно 100 микрометров, в то время как размер микроконтактов составляет приблизительно 20 микрометров. Гибридная сварка уменьшает этот размер до 1 микрометра. Микроконтакты используются для соединения кремниевых микросхем с другими чипами внутри корпуса, как это видно в CoWoS-S и CoWoS-L, где микроконтакты широко используются для соединений чипов с межсоединительными платами. Для TSMC будущее может заключаться в отказе от технологии гибридного соединения и инвестировании в микроконтакты размером 5 микрометров. Сообщается, что TSMC готовит свою цепочку поставок для 5-микрометровых микроконтактов, которые будут еще меньше, чем доступные в настоящее время, для повышения производительности в упаковке. По имеющимся данным, южнокорейские и японские поставщики сотрудничают с TSMC для достижения этой цели, а массовое производство 5-микрометровых микроконтактов ожидается во второй половине 2028 года. Напомним, что технология 3D V-Cache от AMD использует гибридное соединение для размещения SRAM поверх логики, но у TSMC пока ограниченные производственные мощности по выпуску таких микроконтактов, и, по всей видимости, они останутся ограниченными. Это не первый случай, когда TSMC отказывается от внедрения новейших технологий упаковки в производстве. Например, TSMC по-прежнему считает, что низкоапертурной EUV-литографии будет достаточно для продвижения техпроцессов следующего поколения. TSMC придерживается использования низкоапертурной литографии с многослойным формированием рисунка, когда EUV-машина выполняет несколько проходов для травления изображения на одном слое, до начала производства техпроцессов с размером кристалла 1 нанометр и ниже. Эта тенденция сохраняется и в отношении микроконтактов, даже несмотря на то, что вся отрасль, включая SK hynix, считает гибридное соединение наиболее эффективным и высокопроизводительным методом многослойной компоновки чипов.